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IGCT自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)核心是安規(guī)及導(dǎo)通性能測(cè)試的訂制化標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試平臺(tái)，其核心是采用了各種儀器儀表（萬(wàn)用表、內(nèi)阻測(cè)試儀、安規(guī)測(cè)試儀、電源等）和繼電器板卡、配合測(cè)試機(jī)柜、產(chǎn)品的定制工裝，利用虛擬儀器技術(shù)相關(guān)功能進(jìn)行測(cè)試，并將檢測(cè)結(jié)果保存到本地盤，MES上傳到客戶指定數(shù)據(jù)庫(kù)；測(cè)試項(xiàng)目和內(nèi)容步驟保存到數(shù)據(jù)庫(kù)里面，數(shù)據(jù)庫(kù)包含單步測(cè)試功能模塊，儀器測(cè)試指令，工號(hào)權(quán)限，增加和刪除編輯項(xiàng)目可以在數(shù)據(jù)庫(kù)操作界面完成。

KC-3105 第三代功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)中可同時(shí)完成HTRB和DHTRB測(cè)試，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計(jì)且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試需求。

KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)(實(shí)驗(yàn)室)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量和參數(shù)分析，漏電流測(cè)試分辨率高達(dá)fA，電壓測(cè)試分阱率最高可這nV級(jí)，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測(cè)量。全自動(dòng)程控軟件，圖型化上位機(jī)操作界面。內(nèi)置開(kāi)關(guān)切換矩陣保證測(cè)試效率。

KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)（生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）

KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開(kāi)通損耗。

測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用芯片的反復(fù)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫和低溫，加速芯片內(nèi)各種組件材料和結(jié)合面的熱機(jī)械應(yīng)力，驗(yàn)證封裝、內(nèi)部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機(jī)械應(yīng)力能力。IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)HK-IOL-16H

IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動(dòng)范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實(shí)驗(yàn)壽命,從而得到IGBT的壽命。

SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù)： 　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。